El efecto fotoeléctrico fue descubierto por Heinrich Hertz en 1887, al observar que el arco que salta entre dos electrodos conectados a alta tensión alcanza distancias mayores cuando se ilumina con luz ultravioleta que cuando se deja en la oscuridad. Un Año después, Hallwachs hizo una importante observación de que la luz ultravioleta al incidir sobre un cuerpo cargado negativamente causaba la perdida su carga, mientras que no afectaba a un cuerpo con carga positiva. Diez años mas tarde, J. Thomson y P. Lenard demostraron independientemente, que la acción de al luz era la causa de al emisión de cargas negativas libres por la superficie del metal. Aunque no hay diferencia con los demás electrones, se acostumbra al denominar fotoelectrones a estas cargas negativas.
Heinrich Hertz establece básicamente que electrones de una superficie metálica pueden escapar de ella si adquieren la energía suficiente suministrada por luz de longitud de onda lo suficientemente corta. Hallwachs y Lenard estudiaron también este efecto años después.
Posteriormente Einstein le dio el significado correcto en 1905, en el que dice que un haz de luz se compone de paquetes de energía llamados cuantos de luz o fotones. Cuando el fotón choca contra un electrón en la superficie de un metal, el fotón l e puede transmitir energía al electrón, con la cual podría este escapar de la superficie del metal.
Efecto fotoeléctrico externo
Es la formación y liberación de partículas eléctricamente cargadas que se produce en la materia cuando es irradiada con luz u otra radiación electromagnética. El término efecto fotoeléctrico designa varios tipos de interacciones similares. En el efecto fotoeléctrico externo se liberan electrones en la superficie de un conductor metálico al absorber energía de la luz que incide sobre dicha superficie. Este efecto se emplea en la célula fotoeléctrica, donde los electrones liberados por un polo de la célula, el fotocátodo, se mueven hacia el otro polo, el ánodo, bajo la influencia de un campo eléctrico. El estudio del efecto fotoeléctrico externo desempeñó un papel importante en el desarrollo de la física moderna. Una serie de experimentos iniciados en 1887 demostró que el efecto fotoeléctrico externo tenía determinadas características que no podían explicarse por las teorías de aquella época, que consideraban que la luz y todas las demás clases de radiación electromagnética se comportaban como ondas. Por ejemplo, a medida que la luz que incide sobre un metal se hace más intensa, la teoría ondulatoria de la luz sugiere que en el metal se liberarán electrones con una energía cada vez mayor. Sin embargo, los experimentos mostraron que la máxima energía posible de los electrones emitidos sólo depende de la frecuencia de la luz incidente, y no de su intensidad. En 1905, para tratar de explicar el mecanismo del efecto fotoeléctrico externo, Albert Einstein sugirió que podría considerarse que la luz se comporta en determinados casos como una partícula, y que la energía de cada partícula luminosa, o fotón, sólo depende de la frecuencia de la luz. Para explicar el efecto fotoeléctrico externo, Einstein consideró la luz como un conjunto de "proyectiles" que chocan contra el metal. Cuando un electrón libre del metal es golpeado por un fotón, absorbe la energía del mismo. Si el fotón tiene la suficiente energía, el electrón es expulsado del metal. La teoría de Einstein explicaba muchas características del efecto fotoeléctrico externo, como por ejemplo el hecho de que la energía máxima de los electrones expulsados sea independiente de la intensidad de la luz. Según la teoría de Einstein, esta energía máxima sólo depende de la energía del fotón que lo expulsa, que a su vez sólo depende de la frecuencia de la luz. La teoría de Einstein se verificó por experimentos posteriores. Su explicación del efecto fotoeléctrico, con la demostración de que la radiación electromagnética puede comportarse en algunos casos como un conjunto de partículas, contribuyó al desarrollo de la teoría cuántica. El término efecto fotoeléctrico también puede referirse a otros tres procesos: la fotoionización, la fotoconducción y el efecto fotovoltáico. La fotoionización es la ionización de un gas por la luz u otra radiación electromagnética. Para ello, los fotones tienen que poseer la suficiente energía para separar uno o más electrones externos de los átomos de gas. En la fotoconducción, los electrones de materiales cristalinos absorben energía de los fotones y llegan así a la gama de niveles de energía en la que pueden desplazarse libremente y conducir electricidad. En el efecto fotovoltáico, los fotones crean pares electrón-hueco en materiales semiconductores. En un transistor, este efecto provoca la creación de un potencial eléctrico en la unión entre dos semiconductores diferentes.
Efecto fotoeléctrico interno
En el fotoefecto interno los electrones excitados permanecen dentro de la sustancia, contrario al fotoefecto externo. Cuando el material es irradiado, electrones de la banda de valencia son llevados a la banda de conducción y aumenta la conductividad eléctrica del material irradiado. Este aumento de conductividad se llama fotoconducción. En el caso en de los metales, debido a su alta conductividad eléctrica base, el aumento de conductividad por radiación es insignificante, por eso el fotoefecto interno se emplea tanto en los semiconductores dopados como en los intrínsecos.
La conductividad intrínseca es ocasionada por electrones y huecos térmicamente generados, que están presentes en iguales concentraciones. Cuando la sustancia es irradiada, portadores de carga libres adicionales son producidos por la energía del fotón con lo que se mejora la conductividad. Mediante el dopado deliberado de un semiconductor con donantes o aceptores, se obtiene un semiconductor tipo P o N.
Fotoefecto de unión
El fotoefecto de unión es un fotoefecto interno y se utiliza en fotodiodos, diodos de avalancha, fototransistores, transistores de efecto de campo y fototiristores. Estos componentes se fabrican como semiconductores dopados donde energías cuánticas más pequeñas son necesarias para elevar la conductividad que en el caso del semiconductor intrínseco. La construcción de un fotodiodo o un fototransistor es la misma en principio como en un diodo o un transistor.
Elementos básicos
Los elementos básicos del sistema de control típico abarcan cuatro componentes principales:
- Una fuente de radiación típica, esto, es algo específicamente diseñado para emitir radiación.
- Un receptor de radiación que contiene un elemento fotosensitivo para cambios sensibles en radiación.
- Un amplificador para aumentar la salida eléctrica del elemento sensible a un nivel útil.
- Un dispositivo de salida que ejecute alguna función de control como resultado de la señal amplificada.
Medida de h por Millikan
La letra h en la ecuación de Einstein, es importante porque es fundamental para la estructura de la materia y, por lo tanto, es una constante universal. Habiendo sido introducida primero por Planck, en 1901, el nombre de la constante de Planck s ha adherido firmemente a este símbolo h. La primera confirmación experimental de la ecuación fotoeléctrica de Einstein vino en 1912, cuando A. L. Hugues; e independiente O. W. Richardon y K. T. Compton, observaron que la energía de los fotoelectrones aumentaba proporcionalmente con la frecuencia. La constante de proporcionalidad que ellos encontraron es aproximadamente igual a la constante h de Planck.
Posteriormente, Millikan realizo una serie de experimentos exhaustivos que establecieron la ecuación fotoeléctrica de tan preciso, que sus trabajos se consideran ahora como los que dan el valor más exacto de h.
Para esto fue necesario medir los tres factores v, W y ½ mv2, y despejar la incógnita h de la siguiente ecuación:
Ve = ½ mv2
Experimentos previos realizados sobre el efecto fotoeléctrico demuestran que obtenerse buenos resultados solo si las superficies metálicas están adecuadamente limpias. Millikan logro obtener superficies metálicas no contaminadas preparándolas dispositivos.
Umbral fotoeléctrico
Una vez hechas las mediciones, Millikan calculo las energías correspondientes a los fotones para diversas frecuencias de luz y represento los resultados sobre un gráfico. El punto de intersección entre la recta u el eje horizontal determinara la frecuencia umbral v0.
El umbral fotoeléctrico se define como la frecuencia para la cual la luz que incide sobre la superficie metálica solo puede liberar los electrones, pero sin comunicarles energía cinética adicional. Para esta frecuencia, la energía cinética ½ mv2 de la ecuación de Einstein es nula y la energía del fotón esta dada por
W = hv0
El valor de h es 6.6261965 x 10-34 joule segundo.
El Premio Nobel de Física asignado a Millikan en 1923 le fue otorgado en primer lugar por sus importantes trabajos experimentales de determinación de la constante de Plank y en segundo lugar también por la carga electrónica e.
Célula fotoeléctrica
Componente electrónico basado en el efecto fotoeléctrico. En su forma más simple, se compone de un ánodo y un cátodo recubierto de un material fotosensible. La luz que incide sobre el cátodo libera electrones que son atraídos hacia el ánodo, de carga positiva, originando un flujo de corriente proporcional a la intensidad de la radiación. Las células fotoeléctricas pueden estar vacías o llenas de un gas inerte a baja presión para obtener una mayor sensibilidad. Una variante de la célula fotoeléctrica, el fototubo multiplicador o fotomultiplicador, consiste en una serie de placas metálicas dispuestas de forma que la emisión fotoeléctrica se amplifica mediante una emisión eléctrica secundaria. El fototubo multiplicador es capaz de detectar radiaciones extremadamente débiles, por lo que es una herramienta esencial en el área de la investigación nuclear.
Las células fotoeléctricas se emplean en alarmas antirrobo, semáforos de tráfico y puertas automáticas. Una célula fotoeléctrica y un rayo de luz (que puede ser infrarrojo o invisible al ojo humano) forman una parte esencial de este tipo de circuito eléctrico. La luz producida por una bombilla en un extremo del circuito cae sobre la célula, situada a cierta distancia. El circuito salta al cortarse el rayo de luz, lo que provoca el cierre de un relé y activa el sistema antirrobo u otros circuitos. Se utilizan varios tipos de células fotoeléctricas en la grabación de sonido, en la televisión y en los contadores de centelleo