Emisores ópticos

Entre los emisores ópticos tenemos a los diodos LED y los diodos LASER.

 

Diodos LED

Son fuentes de luz con emisión espontánea o natural (no coherente), son diodos semiconductores de unión p-n que para emitir luz se polarizan directamente.

     

La energía luminosa emitida por el LED es proporcional al nivel de corriente de la polarización del diodo.

En la figura anterior vemos la representación característica de potencia óptica- corriente de polarización.

Existen dos tipos de LED:

  • LED de superficie que emite la luz a través de la superficie de la zona activa.
  • LED de perfil que emite a través de la sección transversal (este tipo es mas direccional)

Diodos LASER (LD)

Son fuentes de luz coherente de emisión estimulada con espejos semireflejantes formando una cavidad resonante, la cual sirve para realizar la retroalimentación óptica, así como el elemento de selectividad (igual fase y frecuencia).

La emisión del LD es siempre de perfil, estos tienen una corriente de umbral y a niveles de corriente arriba del umbral la luz emitida es coherente, y a niveles menores al umbral el LD emite luz incoherente como un LED.

La figura muestra una comparación de los espectros emitidos por un LED y un LD.

Como las características de los espejos son funciones tanto de la temperatura, como de la operación; la característica potencia óptica- corriente de polarización es función de la temperatura y sufre un cierto tipo de envejecimiento. Una representación gráfica de la corriente de umbral, del proceso de envejecimiento se ilustra en la a continuación.


Receptores ópticos

El propósito del receptor óptico es extraer la información contenida en una portadora óptica que incide en el fotodetector. En los sistemas de transmisión analógica el receptor debe amplificar la salida del fotodetector y después demodularla para obtener la información. En los sistemas de transmisión digital el receptor debe producir una secuencia de pulsos (unos y ceros) que contienen la información del mensaje transmitido.

Fotodetector

Convierte la potencia óptica incidente en corriente eléctrica, esta corriente es muy débil por lo que debe amplificarse. Las características principales que debe tener son:

  • Sensibilidad alta a la longitud de onda de operación
  • Contribución mínima al ruido total del receptor
  • Ancho de banda grande (respuesta rápida)

Existen dos tipos de fotodetectores:

Fotodetectores PIN

Genera un solo par electrón-hueco por fotón absorbido. Son los más comunes y están formados por una capa de material semiconductor ligeramente contaminado (región intrínseca), la cual se coloca entre dos capas de material semiconductor, una tipo N y otra tipo P. Cuando se le aplica una polarización inversa al fotodetector, se crea una zona desértica (libre de portadores) en la región intrínseca en la cual se forma un campo eléctrico. Donde un fotón en la zona desértica con mayor energía o igual a la del material semiconductor, puede perder su energía y excitar a un electrón que se encuentra en la banda de valencia para que pase a la banda de conducción. Este proceso genera pares electrón – hueco que se les llama fotoportadores.

Fotodetectores de Avalancha APD.-

Presenta ganancia interna y genera mas de un par electrón-hueco, debido al proceso de ionización de impacto llamado ganancia de avalancha. Cuando a un fotodetector se le aumenta el voltaje de polarización, llega un momento en que la corriente crece por el fenómeno de avalancha, si en esta región se controla el fenómeno de avalancha limitando la corriente (antes de la destrucción del dispositivo), la sensibilidad del fotodetector se incrementa.

Cuando se aplican altos voltajes de polarización, los portadores de carga libres se desplazan rápidamente, con mayor energía y liberan nuevos portadores secundarios, los cuales también son capaces de producir nuevos portadores. Este efecto se llama multiplicación por avalancha (M) que esta dada por:

Donde:

IT : fotocorriente total

IP : fotocorriente primaria

V : Voltaje de polarización aplicado

VB : Voltaje de ruptura del dispositivo

n : coeficiente

Vie, 07/04/2006 - 19:19